Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 30
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 11.9мОм @ 4.5В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 8.9мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 58
Заряд затвора нК: 10
Рассеиваемая мощность Вт: 55
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
