2Т803А Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, гeнepaтopах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЖК3.365.206 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т803А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т803А, КТ803А:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
2Т803А
|
n-p-n
|
10
|
-
|
60
|
-
|
4
|
60
|
10…50
|
2,5
|
300
|
20
|
>20
|
-
|
250
|
-
|
150
|
-60…+125
|
КТ803А
|
n-p-n
|
10
|
-
|
60
|
-
|
4
|
60
|
10…70
|
2,5
|
300
|
50
|
>20
|
-
|
250
|
-
|
150
|
-40…+100
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.