Индуктивность: SMD, 0.47 мкГн, 17.5 А
Номинальная индуктивность Гн: 0.47 мк
Допуск индуктивности : ±20%
Ток насыщения на 20С А: 26
Ток перегрева А: 17.5
Максимальное омическое сопротивление мОм: 4.2
Типовое омическое сопротивление мОм: 4
Способ монтажа : SMD
Магнитное экранирование : есть
Размер корпуса мм: 6.9x6.5x3.0
Рабочая температура °C: -55...125
Примечания : Low Profile, High Current IHLP Inductor

