Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 150
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 44мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 44мОм @ 10В
Заряд затвора нК: 36
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRF7494. Описание в формате PDF




