MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 75 А
Тип канала : N
Максимальное рабочее напряжение В: 100
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 14мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 14мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 75
Заряд затвора нК: 110
Рассеиваемая мощность Вт: 200
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
MOSFET транзистор IRFB4710. Описание в формате PDF