Тип канала : P
Максимальное рабочее напряжение В: 55
Rdson макс. при Vg 1 мОм: 65мОм @ 10В
Rdson макс. при Vg 2 мОм: 65мОм @ 10В
Ток стока (при Ткорп=25°С) А: 28
Заряд затвора нК: 42
Рассеиваемая мощность Вт: 89
Абсолютно максимальное напряжение затвора В: 20
Примечания : HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
MOSFET транзистор IRFR5305. Описание в формате PDF




